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  • 17
    2018-09
  • 17
    2018-09

    碳化硅IGBT结构特点及应用

      尽管碳化硅功率MOS的阻断电压已能做到10kV,但作为一种缺乏电导调制的单极型器件,进一步提高阻断电压也会面临不可逾越的通态电阻问题,就 ...

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    2018-09
  • 16
    2018-09

    2SC0108T的实物图SCALE-2 芯片组的特征?全定制专用集成电路(ASIC), 高电压数模信号混合, C-MOS技术?Compatible S ...

  • 16
    2018-09

    随着工业的发展,对于IGBT的电压等级和电流等级的要求也越来越高。目前国内外市场上IGBT电压等级最高为6500V,电流等级最大到3600A。对于中小 ...

  • 15
    2018-09

    大功率IGBT多级场板终端结构的设计

      IGBT(绝缘栅双极晶体管)同时具有单极性器件和双极性器件的优点,驱动电路简单,控制电路功耗和成本低,通态压降低,器件自身损耗小,在几十 ...

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