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英飞凌IGBT厂家 > 英飞凌IGBT?？榍?/a>
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    2018-09

    不同结构的IGBT特点及工作原理(1)p沟IGBT  在数字秒仪表控制电路中常常采用互补器件技术来提高电路的负载能力和抗干扰能力， ...

  • 17
    2018-09

    碳化硅IGBT结构特点及应用

      尽管碳化硅功率MOS的阻断电压已能做到10kV，但作为一种缺乏电导调制的单极型器件，进一步提高阻断电压也会面临不可逾越的通态电阻问题，就 ...

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    2018-09

    有关短路和过电压?；さ牧鞒掏迹好挥懈郊颖；ぷ爸玫?10μs 短路 SOA 操作。短路（超负荷）原因和电流检测原因     &nbs ...

  • 16
    2018-09

    2SC0108T的实物图SCALE-2 芯片组的特征?全定制专用集成电路(ASIC), 高电压数模信号混合, C-MOS技术?Compatible S ...

  • 16
    2018-09

    随着工业的发展，对于IGBT的电压等级和电流等级的要求也越来越高。目前国内外市场上IGBT电压等级最高为6500V，电流等级最大到3600A。对于中小 ...

  • 15
    2018-09

    大功率IGBT多级场板终端结构的设计

      IGBT(绝缘栅双极晶体管)同时具有单极性器件和双极性器件的优点，驱动电路简单，控制电路功耗和成本低，通态压降低，器件自身损耗小，在几十 ...

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